关于对米勒(电容)效应的理解(图文教程)
1、下图所示中的Cgd是NMOS管的栅和漏之间的电容

3、根据CS放大电路,我们可以认为Vo=-gmRLVg,如下图所示

5、Cgd(1+gmRL)可以这样理解,从输入到输出,电压从正向变为反向,所以电容上也有这么多的电荷变化才可以产生如此大的电压变化,所以,从输入端看过去电容应该很大。

7、再根据电容两端的电压和电流关系,可以得出从输出端看过去的电容近似为Cgd

8、总结如下:米勒电容从输入端看过去增大了gmRL倍,从输出端看过去还是原来的大小。
1、下图所示中的Cgd是NMOS管的栅和漏之间的电容
3、根据CS放大电路,我们可以认为Vo=-gmRLVg,如下图所示
5、Cgd(1+gmRL)可以这样理解,从输入到输出,电压从正向变为反向,所以电容上也有这么多的电荷变化才可以产生如此大的电压变化,所以,从输入端看过去电容应该很大。
7、再根据电容两端的电压和电流关系,可以得出从输出端看过去的电容近似为Cgd
8、总结如下:米勒电容从输入端看过去增大了gmRL倍,从输出端看过去还是原来的大小。